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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3P8SECKy/DTtpB
Repositóriosid.inpe.br/jeferson/2004/10.26.17.10   (acesso restrito)
Última Atualização2006:06.14.04.15.04 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/jeferson/2004/10.26.17.10.36
Última Atualização dos Metadados2018:06.04.04.22.33 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11487-PRE/6892
ISSN0018-9456
Chave de CitaçãoNubile:1997:DeChPn
TítuloDeep-level characterization of p-n junction devices using trigonometric weight functions
ProjetoCELSOL: Células solares
Ano1997
MêsOct.
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho385 KiB
2. Contextualização
AutorNubile, Paulo
Identificador de Curriculo8JMKD3MGP5W/3C9JJ3D
GrupoLAS-INPE-MCT-BR
AfiliaçãoInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaIEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
Volume46
Número5
Páginas1156-1159
Histórico (UTC)2004-10-28 13:54:13 :: marciana -> administrator ::
2006-09-27 21:00:45 :: administrator -> marciana ::
2008-05-02 16:20:26 :: marciana -> administrator ::
2014-08-16 18:52:32 :: administrator -> marciana :: 1997
2014-08-20 12:25:50 :: marciana -> administrator :: 1997
2018-06-04 04:22:33 :: administrator -> marciana :: 1997
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
Capacitance transients
Deep levels
Deep-level transient spectroscopy (DLTS)
Defects
DX centers
Trap characterization in semiconductors
FÍSICA DE MATERIAIS
Transientes de capacitância
Níveis profuntdos
Espectroscopia
Defeitos
Centro DX
ResumoThis paper describes a method to treat capacitance transients in semiconductor junctions using trigonometric weight functions, The method is a variation of the classical deep-level transient spectroscopy (DLTS) technique using a double lock-in, The technique is suitable for measurements where the integrator module or lock-in amplifier works with a combination of sinusoidal functions multiplying the input signal before integration, The sensitivity and resolution of the method are determined and compared with the main variations of the DLTS technique, Experimental data for DX centers in p(+)/n AlGaAs junctions are discussed, For a sample having single defects, as DX centers, the proposed method enables the defect characterization using only one spectrum.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Deep-level characterization of...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvodeep-level characterization.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.57.56 1
DivulgaçãoWEBSCI; IEEEXplore.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m18@80/2008/03.17.15.17
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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